Description

Infineon Technologies IRLB4132PBF N-Kanal MOSFET Transistor, 30V, 100A, TO-220AB, 3-pin

Der IRLB4132PBF ist ein N-Kanal MOSFET Transistor von Infineon Technologies. Er basiert auf der HEXFET Technologie und ist für den Einsatz in leistungsstarken Schaltungen konzipiert. Der Transistor bietet eine Drain-Source-Spannung von 30V, einen kontinuierlichen Drainstrom von 100A sowie einen Impuls-Drainstrom von bis zu 620A. Das TO-220AB-Gehäuse ermöglicht eine zuverlässige thermische Anbindung und einfache Montage in THT-Anwendungen. Der Transistor verfügt über einen niedrigen Widerstand im leitenden Zustand von 3,5 mΩ, wodurch Energieverluste in Schaltungen reduziert werden.

Dieser Transistor eignet sich für Anwendungen im Bereich der Leistungselektronik, beispielsweise in Motorsteuerungen, Spannungswandlern oder anderen Hochstromanwendungen. Dank der robusten Auslegung können auch anspruchsvolle Anforderungen in industriellen und elektronischen Projekten erfüllt werden.

Der IRLB4132PBF ist ein N-Kanal MOSFET mit unipolarer Polarisation. Die HEXFET Technologie steht für eine optimierte Effizienz und einen niedrigen Leistungsverlust im Betrieb. Der Transistor kann in einfacher Sprache als ein elektronischer Schalter beschrieben werden, der bei Ansteuerung große Ströme bei niedrigen Spannungen sicher schalten kann.

Merkmale im Überblick

• N-Kanal MOSFET Transistor für Hochstromanwendungen
• HEXFET Technologie für effizientes Schalten
• Drain-Source-Spannung: 30V
• Drainstrom: 100A kontinuierlich, 620A im Impuls
• TO-220AB-Gehäuse für THT-Montage
• Niedriger Widerstand im leitenden Zustand: 3,5 mΩ

Kompatibilität

• Leistungselektronische Schaltungen
• Motorsteuerungen
• Spannungswandler
• Allgemeine Hochstromanwendungen

Technische Daten

• Transistor-Typ: N-MOSFET
• Technologie: HEXFET
• Polarisierung: unipolar
• Drain-Source Spannung: 30V
• Drainstrom: 100A
• Drainstrom im Impuls: 620A
• Verlustleistung: 140W
• Gehäuse: TO-220AB
• Gate-Source Spannung: ±20V
• Widerstand im Leitungszustand: 3,5mΩ
• Montage: THT
• Kanal-Art: Anreicherungstyp

Sonstige Daten

• Dieser Transistor ist für Leistungsschaltungen konzipiert und vielseitig in elektronischen Projekten einsetzbar.

Lieferumfang

• 1 x IRLB4132PBF N-Kanal MOSFET Transistor im TO-220AB Gehäuse

Links

• Datenblatt des Herstellers

Gewicht Brutto (in kg):	0.002
Zolltarifnummer:	85444995
Artikelnummer:	IRLB4132PBF
Herkunftsland:	China
Hersteller:	INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller Produktnummer:	IRLB4132PBF
Montage:	THT
VPE:	1 / 50